Полупроводниковые приборы в России
+7 (812) 240-88-50
+7 (812) 240-88-50
г. Санкт-Петербург, ул. Софийская 17, лит.А, помещение 3Н оф.230

CSD19532KTT Texas instruments

CSD19532KTT
Уточнить цену
CSD19532KTT
Уточнить цену
СРАВНИТЬ
В СРАВНЕНИИ
Уточнить цену
This 100 V, 4.6 mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • D2PAK Plastic Package
VDS (V) 100
Configuration Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 5.6
IDM - pulsed drain current (max) (A) 400
QG (typ) (nC) 44
QGD (typ) (nC) 5.6
QGS (typ) (nC) 17
VGS (V) 20
VGSTH typ (typ) (V) 2.6
ID - silicon limited at TC=25°C (A) 136
ID - package limited (A) 200
Logic level No
Operating temperature range (°C) -55 to 175
Rating Catalog
CSD19532KTT