Полупроводниковые приборы в России
+7 (812) 240-88-50
+7 (812) 240-88-50
г. Санкт-Петербург, ул. Софийская 17, лит.А, помещение 3Н оф.230

CSD19505KTT Texas instruments

CSD19505KTT
Уточнить цену
CSD19505KTT
Уточнить цену
СРАВНИТЬ
В СРАВНЕНИИ
Уточнить цену
This 80-V, 2.6-mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • D2PAK Plastic Package
VDS (V) 80
Configuration Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 3.1
IDM - pulsed drain current (max) (A) 400
QG (typ) (nC) 76
QGD (typ) (nC) 11
QGS (typ) (nC) 25
VGS (V) 20
VGSTH typ (typ) (V) 2.6
ID - silicon limited at TC=25°C (A) 212
ID - package limited (A) 200
Logic level No
Operating temperature range (°C) -55 to 175
Rating Catalog
CSD19505KTT